Аспирант Томского государственного университета Никита Яковлев получил грант в миллион рублей на разработку диодов на основе оксида галлия с пробивным напряжением больше 1000 вольт, сообщает пресс-служба вуза.
В дальнейшем изобретение позволит создавать более энергоэффективные зарядные устройства для смартфонов и другой техники, блоки питания, а также схемы управления электродвигателями автомобилей.
«Оксид галлия – новый ультраширокозонный полупроводник, интерес к которому в последнее десятилетие очень сильно растет и в России, и во всем мире в целом. Я начал работать в этом направлении еще на четвертом курсе бакалавриата, в 2019 году, и когда писал литобзор для дипломной работы, насчитывалось всего 10-15 современных качественных источников на эту тему. А сейчас столько же таких работ выходит примерно за месяц», – рассказал аспирант.
Сейчас в зарядниках для телефонов используют нитрид галлия. У него низкое напряжение пробоя и есть дефекты при росте. В оксиде галлия таких недостатков нет.
Сейчас ученый вместе со своим научным руководителем, заведующим лабораторией металлооксидных полупроводников Алексеем Алмаевым смоделировал структуру диодов и создал опытные образцы. Грант потратят на улучшение их характеристик. Подходящие лабораторные образцы планируют получить к началу 2025 года.
